Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR83200A-37CBLI-TR
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IS43DR83200A-37CBLI-TR
1266-IS43DR83200A-37CBLI-TR
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256M, 1.8V, DDR2, 32Mx8, 267Mhz @ CL4, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
1最小包装量--
IS43DR83200A-37CBLI-TR详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR83200A-37CBLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
终端数量
60
Manufacturer Part Number
IS43DR83200A-37CBLI-TR
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Package Description
TFBGA, BGA60,9X11,32
Risk Rank
5.84
Access Time-Max
0.5 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
266 MHz
Number of Words
33554432 words
Number of Words Code
32000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA60,9X11,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
最大电源电压
1.9 V
最小电源电压
1.7 V
内存大小
32 MB
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.27 mA
访问时间
500 ps
数据总线宽度
8 b
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
268435456 bit
最高频率
266 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
10.5 mm
宽度
8 mm
IS43DR83200A-37CBLI-TR拓展信息
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
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