IS43TR16640BL-125KBL
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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43TR16640BL-125KBL

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型号

IS43TR16640BL-125KBL

utmel 编号

1266-IS43TR16640BL-125KBL

商品类别

存储器连接器 - 配件

封装

96-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

1G, 1.35V, DDR3L, 64MX16, 1600MT/S @ 11-11-11, 96 BALL BGA (9MM X13MM) ROHS

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IS43TR16640BL-125KBL Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 1G, 1.35V, DDR3L, 64MX16, 1600MT/S @ 11-11-11, 96 BALL BGA (9MM X13MM) ROHS

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IS43TR16640BL-125KBL详情

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43TR16640BL-125KBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    96-TFBGA

  • 供应商器件包装

    96-TWBGA (9x13)

  • 终端数量

    96

  • Manufacturer Part Number

    IS43TR16640BL-125KBL

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • Package Description

    TFBGA,

  • Risk Rank

    6.85

  • Number of Words

    67108864 words

  • Number of Words Code

    64000000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.35 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    IS43TR16640

  • 厂商

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • Product Status

    Obsolete

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C ~ 95°C (TC)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 电压 - 供电

    1.283V ~ 1.45V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B96

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.45 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.283 V

  • 内存大小

    1Gbit

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    800 MHz

  • 访问时间

    20 ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    64MX16

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 组织的记忆

    64M x 16

  • 长度

    13 mm

  • 宽度

    9 mm

0个相似型号

IS43TR16640BL-125KBL拓展信息

IS41LV16105B-50K
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IS43DR16320B-3DBLI-TR
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