Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43TR81024B-125KBL

工厂交货时间

10 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

78-TFBGA

供应商器件包装

78-TWBGA (10x14)

终端数量

78

Manufacturer Part Number

IS43TR81024B-125KBL

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Package Description

TFBGA,

Risk Rank

5.67

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words

1073741824 words

Number of Words Code

1000000000

Operating Temperature-Max

95 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.5 V

Reflow Temperature-Max (s)

10

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Maximum Clock Frequency

800 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 95 C

Supply Voltage-Max

1.575 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

136

Supply Voltage-Min

1.425 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

ISSI

RoHS

Details

操作温度

0°C ~ 95°C (TC)

系列

-

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

类型

SDRAM - DDR3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

1.425V ~ 1.575V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B78

电源电压-最大值(Vsup)

1.575 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.425 V

内存大小

8Gbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

800 MHz

电源电流-最大值

150 mA

访问时间

20 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

8 bit

组织结构

1GX8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

产品类别

DRAM

记忆密度

8589934592 bit

内存IC类型

DDR DRAM

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

产品类别

DRAM

组织的记忆

1G x 8

长度

14 mm

宽度

10 mm