Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS46LD32640B-18BLA2-TR
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IS46LD32640B-18BLA2-TR
1266-IS46LD32640B-18BLA2-TR
存储器连接器 - 配件
134-TFBGA
大陆
立即发货

DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 2G-Bit 64M X 32 1.2V 134-Pin TFBGA T/R
1最小包装量--
IS46LD32640B-18BLA2-TR详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS46LD32640B-18BLA2-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
134-TFBGA
供应商器件包装
134-TFBGA (10x11.5)
终端数量
134
Manufacturer Part Number
IS46LD32640B-18BLA2-TR
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Package Description
TFBGA,
Risk Rank
5.64
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
105 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.2 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Bulk
厂商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Product Status
最后一次购买
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 105°C (TC)
系列
-
附加功能
SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
电压 - 供电
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B134
电源电压-最大值(Vsup)
1.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
内存大小
2Gbit
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
533 MHz
访问时间
5.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
HSUL_12
组织结构
64MX32
座位高度-最大
1.1 mm
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
2147483648 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
组织的记忆
64M x 32
长度
11.5 mm
宽度
10 mm
IS46LD32640B-18BLA2-TR拓展信息
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
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