GT28F008B3T110详情
Intel GT28F008B3T110重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-VFBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
48-uBGA (7.7x9)
终端数量
48
Package
Bulk
厂商
Intel
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Package Description
CSP, MICRO, BGA-48
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
110 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GT28F008B3T110
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.74
Part Package Code
BGA
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
锡铅
附加功能
TOP BOOT BLOCK
HTS代码
8542.32.00.51
技术
FLASH - Boot Block
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
内存大小
8Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
110 ns
内存格式
FLASH
内存接口
CUI
组织结构
1MX8
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
引导模块
TOP
组织的记忆
1M x 8
GT28F008B3T110拓展信息
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel








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