Intel Corporation D2118-4
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D2118-4
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Description: Page Mode DRAM, 16KX1, 120ns, MOS, CDIP16
1最小包装量--
D2118-4详情
Intel Corporation D2118-4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
16
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEL CORP
Package Description
DIP, DIP16,.3
Access Time-Max
120 ns
Number of Words
16384 words
Number of Words Code
16000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
CERAMIC
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP16,.3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.02
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XDIP-T16
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.025 mA
组织结构
16KX1
输出特性
3-STATE
内存宽度
1
记忆密度
16384 bit
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
DRAM 模式页面
刷新周期
128
D2118-4拓展信息
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel
Intel







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