P21256-08
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Intel Corporation P21256-08

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型号

P21256-08

utmel 编号

1234-P21256-08

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Page Mode DRAM, 256KX1, 80ns, MOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16

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P21256-08
P21256-08 Intel Corporation Page Mode DRAM, 256KX1, 80ns, MOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16

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P21256-08详情

Intel Corporation P21256-08重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    16

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTEL CORP

  • Part Package Code

    DIP

  • Package Description

    DIP, DIP16,.3

  • Access Time-Max

    80 ns

  • Number of Words

    262144 words

  • Number of Words Code

    256000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    DIP

  • Package Equivalence Code

    DIP16,.3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    2.54 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    16

  • JESD-30代码

    R-PDIP-T16

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.06 mA

  • 组织结构

    256KX1

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    3.61 mm

  • 内存宽度

    1

  • 记忆密度

    262144 bit

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 内存IC类型

    DRAM 模式页面

  • 刷新周期

    256

  • 访问模式

    PAGE

  • 长度

    19.43 mm

  • 宽度

    7.62 mm

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P21256-08拓展信息

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