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International Rectifier 2N6806

Name: 2N6806
Brand: International Rectifier
SKU: 1240-2N6806
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2N6806

品牌

International Rectifier

utmel 编号

1240-2N6806

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-204AA, TO-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

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2N6806 International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

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2N6806详情

技术参数

International Rectifier 2N6806重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-204AA, TO-3
供应商器件包装

TO-204AA (TO-3)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

International Rectifier
Power Dissipation (Max)

75W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

HEXFET®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

940mOhm @ 6.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

200 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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