AUIRFR9024NTR
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International Rectifier AUIRFR9024NTR

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型号

AUIRFR9024NTR

utmel 编号

1240-AUIRFR9024NTR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3

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AUIRFR9024NTR International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3

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AUIRFR9024NTR详情

International Rectifier AUIRFR9024NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    23 ns

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    AUIRFR9024NTR

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    International Rectifier

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Risk Rank

    5.15

  • Part Package Code

    TO-252AA

  • Drain Current-Max (ID)

    11 A

  • 包装

    Tape & Reel

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    有

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    镍外哑光锡

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    38 W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    13 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    55 ns

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    11 A

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    11 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.175 Ω

  • 漏源击穿电压

    -55 V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    44 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    62 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    38 W

  • 漏源电阻

    175 mΩ

  • 辐射硬化

    无

  • 达到SVHC

    compliant

0个相似型号

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