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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.027957
10
¥12.290526
100
¥11.594835
500
¥10.938528
1000
¥10.319363
International Rectifier AUIRFS8403TRR
- 收藏
- 对比
AUIRFS8403TRR
1240-AUIRFS8403TRR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AUIRFS8403TRR详情
International Rectifier AUIRFS8403TRR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
包装数量
800
Turn Off Delay Time
26 ns
RoHS
Compliant
Number of Elements
1
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
123A (Tc)
厂商
International Rectifier
Power Dissipation (Max)
99W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
99 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
通道数量
1
功率耗散
99 W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.3mOhm @ 70A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 100µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3183 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
93 nC @ 10 V
上升时间
77 ns
漏源电压 (Vdss)
40 V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
123 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
40 V
最大结点温度(Tj)
175 °C
场效应管特性
-
漏源电阻
2.6 mΩ
通态电阻
3.3 mΩ
高度
5.084 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
AUIRFS8403TRR拓展信息
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