International Rectifier AUIRFS8408TRR

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

108 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

195A (Tc)

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

294W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

294 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

通道数量

1

功率耗散

294 W

接通延迟时间

29 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10820 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

324 nC @ 10 V

上升时间

202 ns

漏源电压 (Vdss)

3.9 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

195 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

场效应管特性

-

漏源电阻

1.6 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅