International Rectifier BSC009NE2LS5ATMA1
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BSC009NE2LS5ATMA1
1240-BSC009NE2LS5ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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BSC009NE2LS5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from International Rectifier stock available at utmel
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BSC009NE2LS5ATMA1详情
International Rectifier BSC009NE2LS5ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
PG-TDSON-8
Voltage, Rating
150 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
41A (Ta), 100A (Tc)
Other Names
BSC009NE2LS5ATMA1-ND BSC009NE2LS5ATMA1TR SP001212764
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
OptiMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
容差
1 %
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
温度系数
50 ppm/°C
电阻
1.98 kΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
额定功率
125 mW
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
0.9 mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3900pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
57nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±16V
场效应管特性
-
高度
650 µm
BSC009NE2LS5ATMA1拓展信息
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