International Rectifier BSP318S E6327

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

PG-SOT223-4

Voltage, Rating

50 V

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Other Names

BSP318S E6327-ND BSP318SE6327 BSP318SE6327T SP000011112

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A (Ta)

Lead Free Status / RoHS Status

Contains lead / RoHS non-compliant

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

容差

0.1 %

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

温度系数

100 ppm/°C

电阻

2.52 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

100 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

90 mOhm @ 2.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 20µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

高度

550 µm