注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

International Rectifier IRF520NSTRRPBF

Name: IRF520NSTRRPBF
Brand: International Rectifier
SKU: 1240-IRF520NSTRRPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

IRF520NSTRRPBF

品牌

International Rectifier

utmel 编号

1240-IRF520NSTRRPBF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

IRF520NSTRRPBF International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

IRF520NSTRRPBF详情

技术参数

International Rectifier IRF520NSTRRPBF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
底架

表面贴装
引脚数

3
供应商器件包装

D2PAK
Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 48W (Tc)
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

HEXFET®
包装

Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

175 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

3.8 W
技术

MOSFET (Metal Oxide)
功率耗散

3.8 W
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

200 mOhm @ 5.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

100V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

9.7 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
输入电容

330 pF
场效应管特性

-
最大rds

200 mΩ

0个相似型号

IRF520NSTRRPBF拓展信息

热销零件