IRF520VSPBF
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International Rectifier IRF520VSPBF

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型号

IRF520VSPBF

utmel 编号

1240-IRF520VSPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, 100V, 9.6A, 165 MOHM, 14.7 NC QG, D2-PAK

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IRF520VSPBF
IRF520VSPBF International Rectifier MOSFET, 100V, 9.6A, 165 MOHM, 14.7 NC QG, D2-PAK

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IRF520VSPBF详情

International Rectifier IRF520VSPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRF520VSPBF

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    International Rectifier

  • Number of Elements

    1

  • Drain Current-Max (ID)

    9.6 A

  • Risk Rank

    5.59

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    9.6 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.165 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    37 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    44 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    44 W

0个相似型号

IRF520VSPBF拓展信息

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