IRF5210STRL
IRF5210STRL

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

International Rectifier IRF5210STRL

  • 收藏
  • 对比

型号

IRF5210STRL

utmel 编号

1240-IRF5210STRL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
IRF5210STRL
IRF5210STRL International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IRF5210STRL详情

International Rectifier IRF5210STRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRF5210STRL

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    International Rectifier

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Risk Rank

    7.55

  • Part Package Code

    D2PAK

  • Drain Current-Max (ID)

    38 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-263AB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    40 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.06 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    140 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    120 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    200 W

0个相似型号

IRF5210STRL拓展信息

IRLML2803PBF
IRLML2803PBF

International Rectifier

IRL3502S
IRL3502S

International Rectifier

IRLL2705TR
IRLL2705TR

International Rectifier

IRLML2402TR
IRLML2402TR

International Rectifier

IRFI740GPBF
IRFI740GPBF

International Rectifier

IRFS4710
IRFS4710

International Rectifier

IRF7821TR
IRF7821TR

International Rectifier

IRF3711S
IRF3711S

International Rectifier

IRF640NSTRL
IRF640NSTRL

International Rectifier

AUIRFSL3206
AUIRFSL3206

International Rectifier

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z