International Rectifier IRF630NSTRL

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

200 V

RoHS

Non-Compliant

Package Description

PLASTIC, D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF630NSTRL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.02

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

9.3 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

82 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

unknown

额定电流

9.3 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

9.3 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

37 A

输入电容

575 pF

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

94 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

82 W

最大rds

300 mΩ

无铅

含铅