International Rectifier IRF6603
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IRF6603
1240-IRF6603
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOMETRIC-2
1最小包装量--
IRF6603详情
International Rectifier IRF6603重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
7
Voltage Rating (DC)
30 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
24 ns
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
3.6 W
额定电流
25 A
功率耗散
42 W
接通延迟时间
20 ns
上升时间
9.9 ns
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
27 A
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
漏源击穿电压
30 V
输入电容
6.59 nF
漏源电阻
5.5 mΩ
最大rds
3.4 mΩ
宽度
5.05 mm
高度
600 µm
长度
5.45 mm
无铅
含铅
IRF6603拓展信息
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