International Rectifier IRF6612
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IRF6612
1240-IRF6612
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MX, ISOMETRIC-3
1最小包装量--
IRF6612详情
International Rectifier IRF6612重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
5
Voltage Rating (DC)
30 V
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
21 ns
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
2.8 W
额定电流
24 A
功率耗散
89 W
上升时间
52 ns
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
24 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
30 V
输入电容
3.97 nF
漏源电阻
2.5 Ω
最大rds
3.3 mΩ
栅源电压
2.25 V
达到SVHC
Unknown
无铅
无铅
IRF6612拓展信息
International Rectifier
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