International Rectifier IRF6621TRPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SQ

供应商器件包装

DIRECTFET™ SQ

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Ta), 55A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.1mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1460 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.5 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-