International Rectifier IRF6633ATR1PBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MU

供应商器件包装

DIRECTFET™ MU

Voltage, Rating

150 V

RoHS

Non-Compliant

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A (Ta), 69A (Tc)

Other Names

IRF6633ATR1PBFTR SP001528328

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

容差

0.5 %

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

温度系数

25 ppm/°C

电阻

5.69 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

125 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6 mOhm @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1410pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

高度

650 µm