International Rectifier IRF6898MTRPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

供应商器件包装

DirectFET™ Isometric MX

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A (Ta), 214A (Tc)

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1mOhm @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 100µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5630 pF @ 13 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

±16V

场效应管特性

Schottky Diode (Body)