International Rectifier IRF7101TR
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IRF7101TR
1240-IRF7101TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
IRF7101TR详情
International Rectifier IRF7101TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
20 V
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF7101TR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.2
Drain Current-Max (ID)
3.5 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
compliant
额定电流
3.5 A
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.1 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
环境耗散-最大值
2 W
无铅
含铅
IRF7101TR拓展信息
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