IRF7103IPBF
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International Rectifier IRF7103IPBF

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型号

IRF7103IPBF

utmel 编号

1240-IRF7103IPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8, 8 PIN

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IRF7103IPBF International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8, 8 PIN

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IRF7103IPBF详情

International Rectifier IRF7103IPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    45 ns

  • Package Description

    LEAD FREE, SO-8, 8 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRF7103IPBF

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    International Rectifier

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Risk Rank

    5.12

  • Part Package Code

    SOT

  • Drain Current-Max (ID)

    3 A

  • 包装

    卷带

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 附加功能

    ULTRA-LOW RESISTANCE, FAST SWITCHING

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    2 W

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    8 ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    3 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.13 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    10 A

  • DS 击穿电压-最小值

    50 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    2 W

  • 辐射硬化

0个相似型号

IRF7103IPBF拓展信息

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