International Rectifier IRF7104TR
- 收藏
- 对比
IRF7104TR
1240-IRF7104TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
IRF7104TR详情
International Rectifier IRF7104TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
-20 V
RoHS
Compliant
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF7104TR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.67
Drain Current-Max (ID)
2.3 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
compliant
额定电流
-2.3 A
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
16 ns
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
2.3 A
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.3 A
漏极-源极导通最大电阻
0.25 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
环境耗散-最大值
2 W
无铅
含铅
IRF7104TR拓展信息
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier







哦! 它是空的。