IRF7303QPBF
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International Rectifier IRF7303QPBF

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型号

IRF7303QPBF

utmel 编号

1240-IRF7303QPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

起订量

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IRF7303QPBF
IRF7303QPBF International Rectifier 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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IRF7303QPBF详情

International Rectifier IRF7303QPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    Axial

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    RNC60

  • 厂商

    Vishay Dale

  • Product Status

    活跃

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    22 ns

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-55182/03, RNC60

  • 尺寸/尺寸

    0.097 Dia x 0.280 L (2.46mm x 7.11mm)

  • 容差

    ±0.1%

  • 终止次数

    2

  • 终端

    SMD/SMT

  • 温度系数

    ±25ppm/°C

  • 电阻

    28 kOhms

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.25W, 1/4W

  • 最大功率耗散

    2 W

  • 失败率

    S (0.001%)

  • 功率耗散

    2 W

  • 接通延迟时间

    6.8 ns

  • 上升时间

    21 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • 连续放电电流(ID)

    4.9 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏源击穿电压

    30 V

  • 双电源电压

    30 V

  • 输入电容

    520 pF

  • 漏源电阻

    50 mΩ

  • 栅源电压

    1 V

  • 特征

    Military, Moisture Resistant, Weldable

  • 座位高度(最大)

    -

  • 宽度

    3.9878 mm

  • 高度

    1.4986 mm

  • 长度

    4.9784 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

0个相似型号

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