International Rectifier IRF7303TR
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IRF7303TR
1240-IRF7303TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
1最小包装量--
IRF7303TR详情
International Rectifier IRF7303TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
30 V
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF7303TR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.01
Drain Current-Max (ID)
4.9 A
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
150 °C
附加功能
超低电阻
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
compliant
额定电流
4.9 A
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
21 ns
漏源电压 (Vdss)
30 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
4.9 A
漏极-源极导通最大电阻
0.05 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
50 mΩ
无铅
含铅
IRF7303TR拓展信息
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