International Rectifier IRF7379QPBF
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IRF7379QPBF
1240-IRF7379QPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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MOSFET, DUAL N/P-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO-8, Q101 QUALIFIED
1最小包装量--
IRF7379QPBF详情
International Rectifier IRF7379QPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
LEAD FREE, SOP-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRF7379QPBF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.13
Part Package Code
SOIC
Drain Current-Max (ID)
5.8 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.8 A
漏极-源极导通最大电阻
0.045 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
46 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
IRF7379QPBF拓展信息
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