International Rectifier IRF7702PBF
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IRF7702PBF
1240-IRF7702PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA, LEAD FREE, TSSOP-8
1最小包装量--
IRF7702PBF详情
International Rectifier IRF7702PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
LEAD FREE, TSSOP-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
2
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRF7702PBF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
8.51
Part Package Code
TSSOP
Drain Current-Max (ID)
8 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-153AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8 A
漏极-源极导通最大电阻
0.014 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70 A
DS 击穿电压-最小值
12 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
IRF7702PBF拓展信息
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