International Rectifier IRF7705GTRPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

供应商器件包装

8-TSSOP

Voltage, Rating

100 V

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A (Ta)

Other Names

IRF7705GTRPBFTR

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

容差

0.25 %

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

温度系数

25 ppm/°C

电阻

37.4 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

125 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

18 mOhm @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2774pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

88nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

高度

650 µm