International Rectifier IRF8113GPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SO

Qualification

AEC-Q200

Voltage, Rating

50V

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

温度系数

± 100ppm/°C

电阻

68kohm

额定功率

100mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电阻器类型

通用型

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6mOhm @ 17.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2910 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

电阻公差

± 5%

场效应管特性

-

产品长度

1mm

产品宽度

0.5mm