International Rectifier IRF9540NSHR

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current

23(A)

Drain-Source On-Volt

100(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

D2PAK

Operating Temp Range

-55C to 175C

Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)

Output Power (Max)

Not Required W

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Frequency(Max)

Not Required MHz

Rad Hardened

无

Mounting

表面贴装

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

51 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF9540NSHR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.91

Drain Current-Max (ID)

23 A

包装

卷带

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2 +Tab

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

P

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.8(W)

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

67 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

23 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.117 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

430 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

117 MΩ

噪声图

Not Required dB

功率增益

Not Required dB

辐射硬化

无

无铅

含铅