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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥46.230673
10
¥43.613842
100
¥41.145136
500
¥38.816166
1000
¥36.619027
International Rectifier IRFAC30
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- 对比
IRFAC30
1240-IRFAC30
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-204AA, TO-3
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFAC30详情
International Rectifier IRFAC30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-204AA (TO-3)
Voltage Rating (DC)
600 V
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
International Rectifier
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
HEXFET®
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
技术
MOSFET (Metal Oxide)
额定电流
3.6 A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5Ohm @ 3.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
630 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
3.6 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
场效应管特性
-
辐射硬化
无
IRFAC30拓展信息
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