International Rectifier IRFAF30
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IRFAF30
1240-IRFAF30
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-204AA, TO-3
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 4.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
1最小包装量--
IRFAF30详情
International Rectifier IRFAF30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
供应商器件包装
TO-204AA (TO-3)
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
International Rectifier
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
HEXFET®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.6Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
66 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
900 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
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IRFAF30拓展信息
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