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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥56.814963
10
¥53.59902
100
¥50.565114
500
¥47.702936
1000
¥45.002775
International Rectifier IRFAF52
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- 对比
IRFAF52
1240-IRFAF52
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-204AA, TO-3
大陆
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N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFAF52详情
International Rectifier IRFAF52重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-204AA (TO-3)
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
厂商
International Rectifier
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.7A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Power Dissipation (Max)
150W
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Manufacturer Part Number
IRFAF52
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.38
Drain Current-Max (ID)
5.7 A
系列
-
操作温度
-
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
漏源电压 (Vdss)
900 V
Vgs(最大值)
-
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-204AA
漏极-源极导通最大电阻
1.9 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
23 A
DS 击穿电压-最小值
900 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
-
IRFAF52拓展信息
International Rectifier
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