IRFAG20
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International Rectifier IRFAG20

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型号

IRFAG20

utmel 编号

1240-IRFAG20

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-204AA, TO-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

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IRFAG20 International Rectifier N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

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IRFAG20详情

International Rectifier IRFAG20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-204AA, TO-3

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    TO-204AA (TO-3)

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 厂商

    International Rectifier

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.3A

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    -

  • Power Dissipation (Max)

    50W

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRFAG20

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.38

  • Drain Current-Max (ID)

    1.3 A

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    -

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    -

  • 漏源电压 (Vdss)

    1000 V

  • Vgs(最大值)

    -

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-204AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    11.5 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    5.2 A

  • DS 击穿电压-最小值

    1000 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    -

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