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International Rectifier IRFBE20PBF

Name: IRFBE20PBF
Brand: International Rectifier
SKU: 1240-IRFBE20PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRFBE20PBF

品牌

International Rectifier

utmel 编号

1240-IRFBE20PBF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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IRFBE20PBF International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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IRFBE20PBF详情

技术参数

International Rectifier IRFBE20PBF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
引脚数

3
Voltage Rating (DC)

800 V
RoHS

Compliant
包装

Bulk
终端

通孔
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

54 W
额定电流

1.8 A
功率耗散

54 W
漏源电压 (Vdss)

800 V
连续放电电流(ID)

1.8 A
阈值电压

4 V
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

800 V
双电源电压

800 V
漏源电阻

6.5 Ω
栅源电压

4 V
达到SVHC

无SVHC
无铅

无铅

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