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International Rectifier IRFBG30PBF

Name: IRFBG30PBF
Brand: International Rectifier
SKU: 1240-IRFBG30PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRFBG30PBF

品牌

International Rectifier

utmel 编号

1240-IRFBG30PBF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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IRFBG30PBF International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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IRFBG30PBF详情

技术参数

International Rectifier IRFBG30PBF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
引脚数

3
Voltage Rating (DC)

1 kV
RoHS

Non-Compliant
Turn Off Delay Time

89 ns
包装

Bulk
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

125 W
额定电流

3.1 A
元素配置

Single
功率耗散

200 W
接通延迟时间

12 ns
上升时间

25 ns
连续放电电流(ID)

3.1 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

1 kV
输入电容

980 pF
漏源电阻

5 Ω
宽度

4.7 mm
高度

8.76 mm
长度

10.54 mm
无铅

无铅

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