International Rectifier IRFF311

包装/外壳

QFN

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-205AF (TO-39)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Product Depth (mm)

5(mm)

Operating Temp Range

-40C to 85C

Mounting Styles

表面贴装

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.35A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

15W

Product Status

活跃

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Manufacturer Part Number

IRFF311

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

1.35 A

Usage Level

Industrial grade

包装

Bulk

操作温度

-

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

漏源电压 (Vdss)

350 V

Vgs（最大值）

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

漏极-源极导通最大电阻

3.6 Ω

筛选水平

Industrial

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5.5 A

DS 击穿电压-最小值

350 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品长度(mm)

7(mm)

产品高度(mm)

0.9(mm)