International Rectifier IRFF333

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AF Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-205AF (TO-39)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

International Rectifier

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Power Dissipation (Max)

25W

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFF333

Package Shape

ROUND

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.38

Drain Current-Max (ID)

3 A

系列

-

操作温度

-

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

漏源电压 (Vdss)

350 V

Vgs（最大值）

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

350 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

场效应管特性

-