International Rectifier IRFH4210DTRPBF
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IRFH4210DTRPBF
1240-IRFH4210DTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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HEXFET POWER MOSFET
1最小包装量--
IRFH4210DTRPBF详情
International Rectifier IRFH4210DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
8-PowerTDFN
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
PQFN (5x6)
Package
Bulk
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
3.5W (Ta), 125W (Tc)
厂商
International Rectifier
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
44A (Ta)
Base Product Number
IRFH4210
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
HEXFET®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 100µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4812 pF @ 13 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
77 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
25 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
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IRFH4210DTRPBF拓展信息
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