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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.763444
10
¥5.437219
100
¥5.129448
500
¥4.839105
1000
¥4.565191
International Rectifier IRFH5255TRPBF
- 收藏
- 对比
IRFH5255TRPBF
1240-IRFH5255TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFH5255TRPBF详情
International Rectifier IRFH5255TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
8-PQFN (5x6)
包装数量
4000
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
6.5 ns
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A (Ta), 51A (Tc)
厂商
International Rectifier
Power Dissipation (Max)
3.6W (Ta), 26W (Tc)
Product Status
活跃
包装
Tape & Reel
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
HEXFET®
电阻
6 MΩ
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
3.6 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
通道数量
1
功率耗散
3.6 W
接通延迟时间
7.9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
988 pF @ 13 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14.5 nC @ 10 V
上升时间
10.7 ns
漏源电压 (Vdss)
25 V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
15 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
25 V
输入电容
988 pF
最大结点温度(Tj)
150 °C
场效应管特性
-
漏源电阻
8.8 mΩ
最大rds
6 mΩ
通态电阻
6 mΩ
宽度
5 mm
高度
838.2 µm
长度
5.9944 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
IRFH5255TRPBF拓展信息
International Rectifier
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