International Rectifier IRFHM8334TRPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件包装

8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

2.7W (Ta), 28W (Tc)

厂商

International Rectifier

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A (Ta), 43A (Tc)

Package

Bulk

系列

HEXFET®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1180 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-