International Rectifier IRFI520N
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IRFI520N
1240-IRFI520N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, FULL PACK-3
1最小包装量--
IRFI520N详情
International Rectifier IRFI520N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Voltage Rating (DC)
100 V
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
30 W
额定电流
7.6 A
功率耗散
27 W
上升时间
23 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
连续放电电流(ID)
7.6 A
漏源击穿电压
100 V
输入电容
330 pF
最大rds
200 mΩ
无铅
含铅
IRFI520N拓展信息
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