International Rectifier IRFK2DE50
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IRFK2DE50
1240-IRFK2DE50
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-240AA
1最小包装量--
IRFK2DE50详情
International Rectifier IRFK2DE50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRFK2DE50
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.38
Drain Current-Max (ID)
12 A
子类别
FET 通用电源
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X7
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-240AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12 A
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
500 W
环境耗散-最大值
500 W
IRFK2DE50拓展信息
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