International Rectifier IRFR024NTRL
- 收藏
- 对比
IRFR024NTRL
1240-IRFR024NTRL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
1最小包装量--
IRFR024NTRL详情
International Rectifier IRFR024NTRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
55 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
19 ns
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRFR024NTRL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.07
Part Package Code
TO-252AA
Drain Current-Max (ID)
17 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
compliant
额定电流
17 A
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
45 W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.9 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
34 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
17 A
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
68 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
71 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
环境耗散-最大值
38 W
辐射硬化
无
无铅
含铅
IRFR024NTRL拓展信息
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier







哦! 它是空的。