International Rectifier IRFR120NTRL

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

32 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFR120NTRL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

7.59

Part Package Code

TO-252AA

Drain Current-Max (ID)

9.3 A

包装

卷带

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

48 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

compliant

额定电流

9.4 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.5 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

23 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

9.4 A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.21 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

38 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

栅源电压

4 V

环境耗散-最大值

39 W

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

无铅

含铅