IRFR18N15DTRPBF
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International Rectifier IRFR18N15DTRPBF

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型号

IRFR18N15DTRPBF

utmel 编号

1240-IRFR18N15DTRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Radial, Can - Snap-In

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

起订量

1最小包装量--

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IRFR18N15DTRPBF
IRFR18N15DTRPBF International Rectifier MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

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IRFR18N15DTRPBF详情

International Rectifier IRFR18N15DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    Radial, Can - Snap-In

  • 供应商器件包装

    D-Pak

  • 表面贴装的焊盘尺寸

    --

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage Rated

    100V

  • Lifetime @ Temp.

    2000 Hrs @ 105°C

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    18A (Tc)

  • 厂商

    International Rectifier

  • Power Dissipation (Max)

    110W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -40°C ~ 105°C

  • 系列

    EYH

  • 包装

    Bulk

  • 尺寸/尺寸

    0.984 Dia (25.00mm)

  • 容差

    ±20%

  • 零件状态

    最后一次购买

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • 应用

    通用型

  • 电容量

    1200µF

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • ESR(等效串联电阻)

    225 mOhm @ 120Hz

  • 引线间距

    --

  • 极化

    Polar

  • 纹波电流@低频

    1.94A @ 120Hz

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    125mOhm @ 11A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    900 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    43 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    150 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 场效应管特性

    -

  • 座位高度(最大)

    1.457 (37.00mm)

  • 评级结果

    --

0个相似型号

IRFR18N15DTRPBF拓展信息

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