International Rectifier IRFSL23N20D
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IRFSL23N20D
1240-IRFSL23N20D
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
1最小包装量--
IRFSL23N20D详情
International Rectifier IRFSL23N20D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Voltage Rating (DC)
200 V
RoHS
Non-Compliant
包装
Bulk
最大功率耗散
3.8 W
额定电流
24 A
功率耗散
170 W
上升时间
32 ns
漏源电压 (Vdss)
200 V
连续放电电流(ID)
24 A
漏源击穿电压
200 V
输入电容
1.96 nF
最大rds
100 mΩ
无铅
含铅
IRFSL23N20D拓展信息
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