International Rectifier IRFSL31N20DPBF
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IRFSL31N20DPBF
1240-IRFSL31N20DPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
1最小包装量--
IRFSL31N20DPBF详情
International Rectifier IRFSL31N20DPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Surface Mount, Through Hole
引脚数
3
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
26 ns
Voltage Rating (DC)
200 V
包装
Bulk
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
300 W
额定电流
31 A
功率耗散
200 W
接通延迟时间
16 ns
上升时间
38 ns
漏源电压 (Vdss)
55 V
连续放电电流(ID)
160 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏源击穿电压
200 V
输入电容
7.96 nF
漏源电阻
82 mΩ
最大rds
3.3 mΩ
高度
9.652 mm
长度
10.668 mm
宽度
4.826 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
IRFSL31N20DPBF拓展信息
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